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ISL6613EIB

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    ISL6613EIB
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज आपूर्ति
    10.8 V ~ 13.2 V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    8-SOIC-EP
  • शृंखला
    -
  • उठो / पतन समय (टाइप)
    26ns, 18ns
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • इनपुट आवृत्ति
    2
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • तर्क वोल्ट - वीआईएल, VIH
    -
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • इनपुट प्रकार
    Non-Inverting
  • उच्च पक्ष वोल्टेज - मैक्स (बूटस्ट्रैप)
    36V
  • गेट प्रकार
    N-Channel MOSFET
  • प्रेरित कॉन्फ़िगरेशन
    Half-Bridge
  • विस्तृत विवरण
    Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
  • वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक)
    1.25A, 2A
  • आधार emitter संतृप्ति वोल्टेज (मैक्स)
    Synchronous
  • आधार भाग संख्या
    ISL6613
ISL6613ECBZ-T

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विवरण: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC

निर्माता: Intersil
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ISL6613EIBZ

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स्टॉक में
ISL6613IB

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विवरण: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

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स्टॉक में
ISL6613CRZ

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विवरण: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN

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ISL6613ECB-T

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विवरण: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC

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स्टॉक में
ISL6613CR-T

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विवरण: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN

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स्टॉक में
ISL6613IRZ

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विवरण: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN

निर्माता: Intersil
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ISL6613ECBZR5214

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विवरण: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC

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ISL6613ECB

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ISL6613IB-T

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विवरण: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

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ISL6613CRZ-T

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ISL6613CR

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ISL6613EIB-T

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विवरण: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC

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ISL6613IBZ-T

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ISL6613IR-T

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ISL6613IBZ

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ISL6613ECBZ

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ISL6613IR

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ISL6613ECBZ-TR5214

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