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ISL89412IBZ

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    ISL89412IBZ
  • निर्माता / ब्रांड
    Intersil (Renesas Electronics Corporation)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRVR MOSFET DUAL-CH 8-SOIC
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    ISL89412IBZ.pdf
  • वोल्टेज आपूर्ति
    4.5 V ~ 18 V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    8-SOIC
  • शृंखला
    -
  • उठो / पतन समय (टाइप)
    7.5ns, 10ns
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • इनपुट आवृत्ति
    2
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    14 Weeks
  • तर्क वोल्ट - वीआईएल, VIH
    0.8V, 2.4V
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट प्रकार
    Inverting, Non-Inverting
  • गेट प्रकार
    N-Channel, P-Channel MOSFET
  • प्रेरित कॉन्फ़िगरेशन
    Low-Side
  • विस्तृत विवरण
    Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC
  • वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक)
    2A, 2A
  • आधार emitter संतृप्ति वोल्टेज (मैक्स)
    Independent
  • आधार भाग संख्या
    ISL89412
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ISL89412IBZ-T13

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ISL89410IPZ

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ISL89411IBZ-T13

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विवरण: IC DRVR MOSFET DUAL-CH 8-SOIC

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ISL89410IBZ

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विवरण: IC DRVR MOSFET DUAL-CH 8-SOIC

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ISL9000AIRBCZ-T

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विवरण: IC REG LINEAR 1.5V/1.8V 10DFN

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ISL89412IPZ

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ISL89411IPZ

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विवरण: IC DRVR MOSFET DUAL-CH 8DIP

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ISL89411IBZ

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विवरण: IC DRVR MOSFET DUAL-CH 8-SOIC

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ISL89401AR3Z-T

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ISL89410IBZ-T13

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ISL89412IP

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विवरण: IC DRVR MOSFET DUAL-CH 8DIP

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ISL89410IP

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विवरण: IC MOSFET DRVR 100V 1.25A 9-DFN

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ISL89401ABZ-TK

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विवरण: IC DRVR H-BRDG 100V 1.25A 8SOIC

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