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BR25L010FJ-WE2

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    BR25L010FJ-WE2
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC EEPROM 1K SPI 5MHZ 8SOPJ
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    5ms
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.8 V ~ 5.5 V
  • प्रौद्योगिकी
    EEPROM
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    8-SOP-J
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Cut Tape (CT)
  • पैकेज / प्रकरण
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • दुसरे नाम
    BR25L010FJ-WE2CT
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    1Kb (128 x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    SPI
  • मेमोरी प्रारूप
    EEPROM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    EEPROM Memory IC 1Kb (128 x 8) SPI 5MHz 8-SOP-J
  • घड़ी आवृत्ति
    5MHz
  • आधार भाग संख्या
    BR25L010
BR25L020FV-WE2

BR25L020FV-WE2

विवरण: IC EEPROM 2K SPI 5MHZ SSOP8B

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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BR25L020FJ-WE2

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विवरण: IC EEPROM 2K SPI 5MHZ 8SOPJ

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BR25L010FVM-WTR

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विवरण: IC EEPROM 1K SPI 5MHZ 8MSOP

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BR25L020FVT-WE2

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विवरण: IC EEPROM 2K SPI 5MHZ 8TSSOP

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विवरण: IC EEPROM 64K SPI 10MHZ 8TSSOPB

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विवरण: IC EEPROM 64K SPI 10MHZ 8SOP

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विवरण: IC EEPROM 32K SPI 10MHZ 8SOPJ

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BR25L010FVJ-WE2

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