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4055534R6015ENJTL छविLAPIS Semiconductor

R6015ENJTL

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    R6015ENJTL
  • निर्माता / ब्रांड
    LAPIS Technology
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 600V 15A LPT
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    1.R6015ENJTL.pdf
    2.R6015ENJTL.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    4V @ 1mA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    LPTS (D2PAK)
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    290 mOhm @ 6.5A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    40W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Original-Reel®
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • दुसरे नाम
    R6015ENJTLDKR
  • परिचालन तापमान
    150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    17 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    910pF @ 25V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    40nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    600V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 600V 15A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS (D2PAK)
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    15A (Tc)
  • सम्बंधित खबर
  • शिपिंग
  • भुगतान

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शिपिंग
भुगतान
निम्नलिखित "R6015ENJTL" संबंधित उत्पाद हैं।
R6013-00

R6013-00

विवरण: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"

निर्माता: Harwin
स्टॉक में
RFQ
R6015KNZC8

R6015KNZC8

विवरण: MOSFET N-CHANNEL 600V 15A TO3PF

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
R60200-1CR

R60200-1CR

विवरण: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

निर्माता: Bussmann (Eaton)
स्टॉक में
RFQ
R6012625XXYA

R6012625XXYA

विवरण: DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205

निर्माता: Powerex, Inc.
स्टॉक में
RFQ
R6012FNJTL

R6012FNJTL

विवरण: MOSFET N-CH 600V 12A LPT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
R6015KNX

R6015KNX

विवरण: NCH 600V 15A POWER MOSFET

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
R6012425XXYA

R6012425XXYA

विवरण: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205

निर्माता: Powerex, Inc.
स्टॉक में
RFQ
R6015FNX

R6015FNX

विवरण: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
R6012FNX

R6012FNX

विवरण: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
R6018ANJTL

R6018ANJTL

विवरण: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
R6015ENZC8

R6015ENZC8

विवरण: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
R6015ANJTL

R6015ANJTL

विवरण: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
R6015ANZC8

R6015ANZC8

विवरण: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
R60200-1CRQ

R60200-1CRQ

विवरण: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

निर्माता: Bussmann (Eaton)
स्टॉक में
RFQ
R6015ENX

R6015ENX

विवरण: MOSFET N-CH 600V 15A TO220

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
R6015KNJTL

R6015KNJTL

विवरण: NCH 600V 15A POWER MOSFET

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
R6015FNJTL

R6015FNJTL

विवरण: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
R6012ANJTL

R6012ANJTL

विवरण: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
R6012ANX

R6012ANX

विवरण: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
R6015ANX

R6015ANX

विवरण: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
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