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R6035KNZ1C9

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    R6035KNZ1C9
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    5V @ 1mA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-247
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    102 mOhm @ 18.1A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    379W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-247-3
  • दुसरे नाम
    R6035KNZ1C9TR
    R6035KNZ1C9TR-ND
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    17 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    3000pF @ 25V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    72nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    600V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 600V 35A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    35A (Tc)
R6031225HSYA

R6031225HSYA

विवरण: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

निर्माता: Powerex, Inc.
स्टॉक में
R6031025HSYA

R6031025HSYA

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

निर्माता: Powerex, Inc.
स्टॉक में
R6031035ESYA

R6031035ESYA

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

निर्माता: Powerex, Inc.
स्टॉक में
R60400-3CR

R60400-3CR

विवरण: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

निर्माता: Bussmann (Eaton)
स्टॉक में
R60400-1STR

R60400-1STR

विवरण: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

निर्माता: Bussmann (Eaton)
स्टॉक में
R60400-1CR

R60400-1CR

विवरण: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

निर्माता: Bussmann (Eaton)
स्टॉक में
R6046ANZC8

R6046ANZC8

विवरण: MOSFET N-CH 10V DRIVE TO-3PF

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
R6031235ESYA

R6031235ESYA

विवरण: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

निर्माता: Powerex, Inc.
स्टॉक में
R6035ENZC8

R6035ENZC8

विवरण: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
R6031425HSYA

R6031425HSYA

विवरण: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

निर्माता: Powerex, Inc.
स्टॉक में
R6031022PSYA

R6031022PSYA

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

निर्माता: Powerex, Inc.
स्टॉक में
R6046ANZ1C9

R6046ANZ1C9

विवरण: MOSFET N-CH 600V 46A TO247

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
R6047ENZ1C9

R6047ENZ1C9

विवरण: MOSFET N-CH 600V 47A TO247

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
R6046FNZC8

R6046FNZC8

विवरण: MOSFET N-CH 600V 46A TO-3PF

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
R60400-1STRM

R60400-1STRM

विवरण: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

निर्माता: Bussmann (Eaton)
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R6031222PSYA

R6031222PSYA

विवरण: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

निर्माता: Powerex, Inc.
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R6046FNZ1C9

R6046FNZ1C9

विवरण: MOSFET N-CH 600V 46A TO247

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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R6031435ESYA

R6031435ESYA

विवरण: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

निर्माता: Powerex, Inc.
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R6035ENZ1C9

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 35A TO247

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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R6035KNZC8

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विवरण: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF

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