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4284636RAL045P01TCR छविLAPIS Semiconductor

RAL045P01TCR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    RAL045P01TCR
  • निर्माता / ब्रांड
    LAPIS Technology
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    1.RAL045P01TCR.pdf
    2.RAL045P01TCR.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    1V @ 1mA
  • वीजीएस (मैक्स)
    -8V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TUMT6
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    1W (Ta)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    6-SMD, Flat Leads
  • परिचालन तापमान
    150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    10 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    4200pF @ 6V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    40nC @ 4.5V
  • FET प्रकार
    P-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    1.5V, 4.5V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    12V
  • विस्तृत विवरण
    P-Channel 12V 4.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    4.5A (Ta)
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  • शिपिंग
  • भुगतान

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निम्नलिखित "RAL045P01TCR" संबंधित उत्पाद हैं।
NVATS4A104PZT4G

NVATS4A104PZT4G

विवरण: MOSFET P-CHANNEL 30V 82A ATPAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
NTTFS4C58NTWG

NTTFS4C58NTWG

विवरण: MOSFET N-CH 30V 48A U8FL

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB

विवरण: MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
IXFX100N25

IXFX100N25

विवरण: MOSFET N-CH 250V 100A PLUS247

निर्माता: IXYS Corporation
स्टॉक में
RFQ
BSO4410

BSO4410

विवरण: MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
RAL035P01TCR

RAL035P01TCR

विवरण: MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
NTMS3P03R2G

NTMS3P03R2G

विवरण: MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
IXFX98N50P3

IXFX98N50P3

विवरण: MOSFET N-CH 500V 98A PLUS247

निर्माता: IXYS Corporation
स्टॉक में
RFQ
SPD50N03S207GBTMA1

SPD50N03S207GBTMA1

विवरण: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
DMN63D8LW-7

DMN63D8LW-7

विवरण: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
CPH6350-TL-EX

CPH6350-TL-EX

विवरण: INTEGRATED CIRCUIT

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
IPI50R399CPXKSA1

IPI50R399CPXKSA1

विवरण: MOSFET N-CH 500V 9A TO-262

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
SIJ420DP-T1-GE3

SIJ420DP-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
IPP040N06N3GXKSA1

IPP040N06N3GXKSA1

विवरण: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
IXFK150N15

IXFK150N15

विवरण: MOSFET N-CH 150V 150A TO-264

निर्माता: IXYS Corporation
स्टॉक में
RFQ
RAL025P01TCR

RAL025P01TCR

विवरण: MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
WPB4002-1E

WPB4002-1E

विवरण: MOSFET N-CH 600V 23A TO3P3L

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NTD32N06LT4G

NTD32N06LT4G

विवरण: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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IPD60R3K3C6

IPD60R3K3C6

विवरण: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
UPA2754GR(0)-E1-AY

UPA2754GR(0)-E1-AY

विवरण: TRANSISTOR

निर्माता: Renesas Electronics America
स्टॉक में
RFQ
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