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3226277RHU002N06T106 छविLAPIS Semiconductor

RHU002N06T106

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    RHU002N06T106
  • निर्माता / ब्रांड
    LAPIS Technology
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    RHU002N06T106.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    -
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    UMT3
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    2.4 Ohm @ 200mA, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    200mW (Ta)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    SC-70, SOT-323
  • दुसरे नाम
    RHU002N06T106-ND
    RHU002N06T106TR
  • परिचालन तापमान
    150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    15pF @ 10V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    4.4nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    4V, 10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    60V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    200mA (Ta)
  • सम्बंधित खबर
  • शिपिंग
  • भुगतान

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शिपिंग
भुगतान
निम्नलिखित "RHU002N06T106" संबंधित उत्पाद हैं।
FDB8445-F085

FDB8445-F085

विवरण: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
BSP125L6327HTSA1

BSP125L6327HTSA1

विवरण: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
SUM85N15-19-E3

SUM85N15-19-E3

विवरण: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
PSMN034-100PS,127

PSMN034-100PS,127

विवरण: MOSFET N-CH 100V TO220AB

निर्माता: Nexperia
स्टॉक में
RFQ
SUD45P03-10-E3

SUD45P03-10-E3

विवरण: MOSFET P-CH 30V TO252

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
IRFR4104TR

IRFR4104TR

विवरण: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
IRL3303L

IRL3303L

विवरण: MOSFET N-CH 30V 38A TO-262

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
SI7810DN-T1-GE3

SI7810DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
AOTF7N60

AOTF7N60

विवरण: MOSFET N-CH 600V 7A TO220F

निर्माता: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
स्टॉक में
RFQ
IPD90R1K2C3BTMA1

IPD90R1K2C3BTMA1

विवरण: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
FQPF13N06

FQPF13N06

विवरण: MOSFET N-CH 60V 9.4A TO-220F

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
SIA447DJ-T1-GE3

SIA447DJ-T1-GE3

विवरण: MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
IRFZ44ZLPBF

IRFZ44ZLPBF

विवरण: MOSFET N-CH 55V 51A TO-262

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
RHU003N03FRAT106

RHU003N03FRAT106

विवरण: 4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RHU003N03T106

RHU003N03T106

विवरण: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
IRFZ48NL

IRFZ48NL

विवरण: MOSFET N-CH 55V 64A TO-262

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
VN0606L-G-P003

VN0606L-G-P003

विवरण: MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3

निर्माता: Micrel / Microchip Technology
स्टॉक में
RFQ
TPCA8025(TE12L,Q,M

TPCA8025(TE12L,Q,M

विवरण: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOIC ADV

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
RFQ
IRFL4315TRPBF

IRFL4315TRPBF

विवरण: MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
IRLL014NTR

IRLL014NTR

विवरण: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
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