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3097523RS1E350BNTB छविLAPIS Semiconductor

RS1E350BNTB

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    RS1E350BNTB
  • निर्माता / ब्रांड
    LAPIS Technology
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    1.RS1E350BNTB.pdf
    2.RS1E350BNTB.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    2.5V @ 1mA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    8-HSOP
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    1.7 mOhm @ 35A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    35W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Original-Reel®
  • पैकेज / प्रकरण
    8-PowerTDFN
  • दुसरे नाम
    RS1E350BNTBDKR
  • परिचालन तापमान
    150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    7900pF @ 15V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    185nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    4.5V, 10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    30V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 30V 35A (Ta) 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    35A (Ta)
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  • शिपिंग
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निम्नलिखित "RS1E350BNTB" संबंधित उत्पाद हैं।
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

विवरण: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

विवरण: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

विवरण: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RS1G-E3/5AT

RS1G-E3/5AT

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
RS1G M2G

RS1G M2G

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
RFQ
RS1G-13

RS1G-13

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

विवरण: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RS1G R3G

RS1G R3G

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
RFQ
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
RS1G-13-F

RS1G-13-F

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

विवरण: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

विवरण: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

विवरण: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

विवरण: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RS1G-M3/61T

RS1G-M3/61T

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

विवरण: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

विवरण: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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RS1G

RS1G

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RS1G/1

RS1G/1

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
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