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RUM001L02T2CL

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    RUM001L02T2CL
  • निर्माता / ब्रांड
    LAPIS Technology
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 20V 0.1A VMT3
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    1.RUM001L02T2CL.pdf
    2.RUM001L02T2CL.pdf
    3.RUM001L02T2CL.pdf
    4.RUM001L02T2CL.pdf
    5.RUM001L02T2CL.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    1V @ 100µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±8V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    VMT3
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    150mW (Ta)
  • पैकेजिंग
    Original-Reel®
  • पैकेज / प्रकरण
    SOT-723
  • दुसरे नाम
    RUM001L02T2CLDKR
  • परिचालन तापमान
    150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    10 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    7.1pF @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    1.2V, 4.5V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    20V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    100mA (Ta)
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RUM-050505/HP

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RUM002N05T2L

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