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3805605RZF013P01TL छविLAPIS Semiconductor

RZF013P01TL

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    RZF013P01TL
  • निर्माता / ब्रांड
    LAPIS Technology
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    1.RZF013P01TL.pdf
    2.RZF013P01TL.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    1V @ 1mA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±10V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TUMT3
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    800mW (Ta)
  • पैकेजिंग
    Original-Reel®
  • पैकेज / प्रकरण
    3-SMD, Flat Leads
  • दुसरे नाम
    RZF013P01TLDKR
  • परिचालन तापमान
    150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    10 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    290pF @ 6V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    2.4nC @ 4.5V
  • FET प्रकार
    P-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    1.5V, 4.5V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    12V
  • विस्तृत विवरण
    P-Channel 12V 1.3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    1.3A (Ta)
  • सम्बंधित खबर
  • शिपिंग
  • भुगतान

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शिपिंग
भुगतान
निम्नलिखित "RZF013P01TL" संबंधित उत्पाद हैं।
2N7639-GA

2N7639-GA

विवरण: TRANS SJT 650V 15A TO-257

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
APT70SM70J

APT70SM70J

विवरण: POWER MOSFET - SIC

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
RJK0854DPB-00#J5

RJK0854DPB-00#J5

विवरण: MOSFET N-CH 80V LFPAK

निर्माता: Renesas Electronics America
स्टॉक में
RFQ
RZF020P01TL

RZF020P01TL

विवरण: MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
STP60NF03L

STP60NF03L

विवरण: MOSFET N-CH 30V 60A TO-220

निर्माता: STMicroelectronics
स्टॉक में
RFQ
GP2M004A060PG

GP2M004A060PG

विवरण: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
RFQ
SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
STF40NF20

STF40NF20

विवरण: MOSFET N-CH 200V 40A TO-220FP

निर्माता: STMicroelectronics
स्टॉक में
RFQ
IPL60R365P7AUMA1

IPL60R365P7AUMA1

विवरण: MOSFET N-CH 650V 10A VSON-4

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
IXFP7N80PM

IXFP7N80PM

विवरण: MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220

निर्माता: IXYS Corporation
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RFQ
AOTF3N100

AOTF3N100

विवरण: MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220F

निर्माता: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
स्टॉक में
RFQ
IXTN210P10T

IXTN210P10T

विवरण: MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227

निर्माता: IXYS Corporation
स्टॉक में
RFQ
NP88N055KUG-E1-AY

NP88N055KUG-E1-AY

विवरण: MOSFET N-CH 55V 88A TO-263

निर्माता: Renesas Electronics America
स्टॉक में
RFQ
NTLJD3182FZTAG

NTLJD3182FZTAG

विवरण: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
FDFS2P753Z

FDFS2P753Z

विवरण: MOSFET P-CH 30V 3A 8-SOIC

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RZF030P01TL

RZF030P01TL

विवरण: MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
HTNFET-D

HTNFET-D

विवरण: MOSFET N-CH 55V 8-DIP

निर्माता: Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
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SI7462DP-T1-GE3

SI7462DP-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4890DY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
DMPH3010LK3-13

DMPH3010LK3-13

विवरण: MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO252

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
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