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SP8K24FU6TB

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    SP8K24FU6TB
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET 2N-CH 45V 6A 8SOIC
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    2.5V @ 1mA
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    8-SOP
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    25 mOhm @ 6A, 10V
  • पावर - मैक्स
    2W
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • परिचालन तापमान
    150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    1400pF @ 10V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    21.6nC @ 5V
  • FET प्रकार
    2 N-Channel (Dual)
  • FET फ़ीचर
    Logic Level Gate
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    45V
  • विस्तृत विवरण
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 45V 6A 2W Surface Mount 8-SOP
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    6A
SP8K32FRATB

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विवरण: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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SP8J66TB1

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विवरण: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC

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SP8K2TB

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विवरण: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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SP8K1TB

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विवरण: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC

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SP8K24FRATB

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विवरण: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP

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विवरण: MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-SOIC

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SP8J5FU6TB

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विवरण: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC

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विवरण: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP

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SP8K2FU6TB

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विवरण: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

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SP8K4FU6TB

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विवरण: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC

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SP8K22FU6TB

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विवरण: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOIC

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विवरण: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP

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SP8K31TB1

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विवरण: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC

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SP8J5TB

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विवरण: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC

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विवरण: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC

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विवरण: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC

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SP8J65TB1

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विवरण: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC

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विवरण: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP

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