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SP8M3FU6TB

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    SP8M3FU6TB
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    2.5V @ 1mA
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    8-SOP
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    51 mOhm @ 5A, 10V
  • पावर - मैक्स
    2W
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • दुसरे नाम
    SP8M3FU6TB-ND
    SP8M3FU6TBTR
  • परिचालन तापमान
    150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    230pF @ 10V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    5.5nC @ 5V
  • FET प्रकार
    N and P-Channel
  • FET फ़ीचर
    Logic Level Gate
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    30V
  • विस्तृत विवरण
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A, 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    5A, 4.5A
  • आधार भाग संख्या
    *M3
SP8M4FU6TB

SP8M4FU6TB

विवरण: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC

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SP8M5FU6TB

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विवरण: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC

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विवरण: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET

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विवरण: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC

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विवरण: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC

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SP8M5TB

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विवरण: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC

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SP8M10FU6TB

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विवरण: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC

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SP8M2FU6TB

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विवरण: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC

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SP8K5FU6TB

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विवरण: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC

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विवरण: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET

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SP8M24FRATB

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विवरण: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP

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विवरण: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP

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SP8M5FRATB

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विवरण: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET

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SP8M6FU6TB

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विवरण: MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOIC

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विवरण: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET

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विवरण: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8-SOIC

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विवरण: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP

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विवरण: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC

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विवरण: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC

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SP8M51TB1

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विवरण: MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8

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