SP8M10FU6TB

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विशेष विवरण

भाग संख्या

SP8M10FU6TB
निर्माता / ब्रांड

LAPIS Technology
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

SP8M10FU6TB.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.5V @ 1mA
प्रदायक डिवाइस पैकेज

8-SOP
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

24 mOhm @ 7A, 10V
पावर - मैक्स

2W
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
परिचालन तापमान

150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

600pF @ 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

11.8nC @ 5V
FET प्रकार

N and P-Channel
FET फ़ीचर

Logic Level Gate
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V
विस्तृत विवरण

Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

7A, 4.5A
आधार भाग संख्या

*M10

निम्नलिखित "SP8M10FU6TB" संबंधित उत्पाद हैं।

SP8K5FU6TB

विवरण: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC

निर्माता: LAPIS Semiconductor

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अग्रिम पंजीकरण

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