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UMD4NTR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    UMD4NTR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    50V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    UMT6
  • शृंखला
    -
  • प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)
    47 kOhms
  • प्रतिरोधी - आधार (आर 1)
    4.7 kOhms, 10 kOhms
  • पावर - मैक्स
    150mW, 120mW
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    10 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • आवृत्ति - संक्रमण
    250MHz
  • विस्तृत विवरण
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW, 120mW Surface Mount UMT6
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    68 @ 5mA, 5V
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    500nA
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    100mA
  • आधार भाग संख्या
    *MD4
UMD3NTR

UMD3NTR

विवरण: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
DMG964H10R

DMG964H10R

विवरण: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

निर्माता: Panasonic
स्टॉक में
UMD5NTR

UMD5NTR

विवरण: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
NSBC124XDXV6T1

NSBC124XDXV6T1

विवरण: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
NSVB143ZPDXV6T1G

NSVB143ZPDXV6T1G

विवरण: TRANS BRT 50V 100MA SOT563

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RN1964TE85LF

RN1964TE85LF

विवरण: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
UMD12NTR

UMD12NTR

विवरण: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RN2964FE(TE85L,F)

RN2964FE(TE85L,F)

विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
IMD23T108

IMD23T108

विवरण: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
UMD2NTR

UMD2NTR

विवरण: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
DMG964040R

DMG964040R

विवरण: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

निर्माता: Panasonic
स्टॉक में
DDA142JU-7-F

DDA142JU-7-F

विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
DMC961030R

DMC961030R

विवरण: TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI5

निर्माता: Panasonic
स्टॉक में
PIMN31,115

PIMN31,115

विवरण: TRANS 2NPN PREBIAS 0.42W 6TSOP

निर्माता: Nexperia
स्टॉक में
UMD6NTR

UMD6NTR

विवरण: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
UMD9NTR

UMD9NTR

विवरण: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RN2908FE(TE85L,F)

RN2908FE(TE85L,F)

विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
XN0121600L

XN0121600L

विवरण: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5

निर्माता: Panasonic
स्टॉक में
BCR116SH6327XTSA1

BCR116SH6327XTSA1

विवरण: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
UMD22NTR

UMD22NTR

विवरण: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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