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LN60A01ES-LF

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    LN60A01ES-LF
  • निर्माता / ब्रांड
    Monolithic Power Systems
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    1.2V @ 250µA
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    8-SOIC
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    190 Ohm @ 10mA, 10V
  • पावर - मैक्स
    1.3W
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • परिचालन तापमान
    -20°C ~ 125°C (TJ)
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    2 (1 Year)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    18 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    -
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    -
  • FET प्रकार
    3 N-Channel, Common Gate
  • FET फ़ीचर
    Standard
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    600V
  • विस्तृत विवरण
    Mosfet Array 3 N-Channel, Common Gate 600V 80mA 1.3W 8-SOIC
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    80mA
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  • शिपिंग
  • भुगतान

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निम्नलिखित "LN60A01ES-LF" संबंधित उत्पाद हैं।
LN66F

LN66F

विवरण: EMITTER IR 950NM 50MA

निर्माता: Panasonic
स्टॉक में
RFQ
LN60A01ES-LF-Z

LN60A01ES-LF-Z

विवरण: MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC

निर्माता: MPS (Monolithic Power Systems)
स्टॉक में
RFQ
LN69

LN69

विवरण: EMITTER IR 940NM 50MA T-1

निर्माता: Panasonic
स्टॉक में
RFQ
LN60A01EP-LF

LN60A01EP-LF

विवरण: MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP

निर्माता: MPS (Monolithic Power Systems)
स्टॉक में
RFQ
ALD1102PAL

ALD1102PAL

विवरण: MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP

निर्माता: Advanced Linear Devices, Inc.
स्टॉक में
RFQ
SP8K3FU6TB

SP8K3FU6TB

विवरण: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
CSD75204W15

CSD75204W15

विवरण: MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA

निर्माता: Luminary Micro / Texas Instruments
स्टॉक में
RFQ
SSM6N39TU,LF

SSM6N39TU,LF

विवरण: MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 1.6A UF6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
RFQ
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7

विवरण: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
FD6M043N08

FD6M043N08

विवरण: MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
NTND3184NZTAG

NTND3184NZTAG

विवरण: MOSFET 2 N-CH 20V 220MA 6-XLLGA

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
ALD212900ASAL

ALD212900ASAL

विवरण: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

निर्माता: Advanced Linear Devices, Inc.
स्टॉक में
RFQ
SI7214DN-T1-GE3

SI7214DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
LN660000R

LN660000R

विवरण: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4

निर्माता: Panasonic
स्टॉक में
RFQ
LN65

LN65

विवरण: EMITTER IR 950NM 100MA RADIAL

निर्माता: Panasonic
स्टॉक में
RFQ
NTMD6N02R2

NTMD6N02R2

विवरण: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
LN64

LN64

विवरण: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4

निर्माता: Panasonic
स्टॉक में
RFQ
SI4943BDY-T1-E3

SI4943BDY-T1-E3

विवरण: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
NVMFD5C466NT1G

NVMFD5C466NT1G

विवरण: 40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
SI7212DN-T1-E3

SI7212DN-T1-E3

विवरण: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
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