DS1230AB-200IND

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विशेष विवरण

भाग संख्या

DS1230AB-200IND
निर्माता / ब्रांड

Analog Devices / Maxim Integrated
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

DS1230AB-200IND.pdf
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

200ns
वोल्टेज आपूर्ति

4.75 V ~ 5.25 V
प्रौद्योगिकी

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

28-EDIP
शृंखला

-
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
परिचालन तापमान

-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
स्मृति के प्रकार

Non-Volatile
मेमोरी का आकार

256Kb (32K x 8)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

NVSRAM
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
विस्तृत विवरण

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 200ns 28-EDIP
आधार भाग संख्या

DS1230AB
अभिगम समय

200ns

निम्नलिखित "DS1230AB-200IND" संबंधित उत्पाद हैं।

DS1230AB-120IND+

विवरण: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

निर्माता: Maxim Integrated

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अग्रिम पंजीकरण

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