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DS1230AB-70IND+

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    DS1230AB-70IND+
  • निर्माता / ब्रांड
    Analog Devices / Maxim Integrated
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    DS1230AB-70IND+.pdf
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    70ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    4.75 V ~ 5.25 V
  • प्रौद्योगिकी
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    28-EDIP
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • दुसरे नाम
    DS1230AB70IND
    Q3622188
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    256Kb (32K x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    NVSRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    15 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 70ns 28-EDIP
  • आधार भाग संख्या
    DS1230AB
  • अभिगम समय
    70ns
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  • शिपिंग
  • भुगतान

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DS1230AB-120IND

DS1230AB-120IND

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DS1230AB-120IND+

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DS1230ABP-100+

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विवरण: IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP

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DS1230W-100+

DS1230W-100+

विवरण: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

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DS1230ABP-100

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DS1230W-100

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DS1230ABP-70

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DS1230AB-200

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DS1230AB-200+

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विवरण: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

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DS1230AB-85

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DS1230AB-200IND

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DS1230AB-150+

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DS1230AB-70IND

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DS1230AB-70

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