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DS1245Y-120+

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    DS1245Y-120+
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    120ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    4.5 V ~ 5.5 V
  • प्रौद्योगिकी
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    32-EDIP
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 70°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    1Mb (128K x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    NVSRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    6 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 120ns 32-EDIP
  • आधार भाग संख्या
    DS1245Y
  • अभिगम समय
    120ns
DS1245X-70+

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विवरण: IC NVSRAM 1MBIT PCM MODULE

निर्माता: Maxim Integrated
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DS1245X-70IND+

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विवरण: IC NVSRAM 1MBIT PCM MODULE

निर्माता: Maxim Integrated
स्टॉक में
DS1245Y-120

DS1245Y-120

विवरण: IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

निर्माता: Maxim Integrated
स्टॉक में
DS1245YL-70

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विवरण: IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

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DS1245Y-70+

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विवरण: IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

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DS1245Y-85

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विवरण: IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

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DS1245YL-100

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विवरण: IC NVSRAM 1M PARALLEL 34LPM

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DS1245WP-150+

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विवरण: IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP

निर्माता: Maxim Integrated
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DS1245WP-100IND+

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DS1245Y-100

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विवरण: IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

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DS1245Y-70

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विवरण: IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

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DS1245WP-150

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DS1245XP-70IND+

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DS1245Y-100+

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DS1245Y-120IND

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विवरण: IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

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