DS1245Y-120IND+

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विशेष विवरण

भाग संख्या

DS1245Y-120IND+

निर्माता / ब्रांड

Analog Devices / Maxim Integrated

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

DS1245Y-120IND+.pdf

लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

120ns

वोल्टेज आपूर्ति

4.5 V ~ 5.5 V

प्रौद्योगिकी

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

32-EDIP

शृंखला

-

पैकेजिंग

Tube

पैकेज / प्रकरण

32-DIP Module (0.600", 15.24mm)

दुसरे नाम

DS1245Y120IND

परिचालन तापमान

-40°C ~ 85°C (TA)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

स्मृति के प्रकार

Non-Volatile

मेमोरी का आकार

1Mb (128K x 8)

मेमोरी इंटरफेस

Parallel

मेमोरी प्रारूप

NVSRAM

निर्माता मानक लीड टाइम

15 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

विस्तृत विवरण

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 120ns 32-EDIP

आधार भाग संख्या

DS1245Y

अभिगम समय

120ns

निम्नलिखित "DS1245Y-120IND+" संबंधित उत्पाद हैं।

DS1245Y-100

विवरण: IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

निर्माता: Maxim Integrated

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