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DS28E36Q+U

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    DS28E36Q+U
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC EEPROM 8K 1WIRE 6TDFN
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.97 V ~ 3.63 V
  • प्रौद्योगिकी
    EEPROM
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    6-TDFN (3x3)
  • शृंखला
    DeepCover®
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    6-WDFN Exposed Pad
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    8kb (8K x 1)
  • मेमोरी इंटरफेस
    1-Wire®
  • मेमोरी प्रारूप
    EEPROM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    EEPROM Memory IC 8kb (8K x 1) 1-Wire® 6-TDFN (3x3)
DS28E36EVKIT#

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विवरण: RADIATION RESISTANT

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विवरण: IC EEPROM 4K 1WIRE 6TSOC

निर्माता: Maxim Integrated
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विवरण: IC EEPROM 4K 1WIRE 6TSOC

निर्माता: Maxim Integrated
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DS28E80EVKIT#

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विवरण: EVAL KIT FOR DS28E80

निर्माता: Maxim Integrated
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विवरण: EVKIT AUTHEN CHIPDNA PUF DS28E38

निर्माता: Maxim Integrated
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DS28E80Q+U

DS28E80Q+U

विवरण: IC EEPROM 2K 1WIRE 6TDFN

निर्माता: Maxim Integrated
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DS28E25+T

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विवरण: IC EEPROM 4K 1WIRE TO92-3

निर्माता: Maxim Integrated
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DS28E25EVKIT#

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विवरण: EVAL KIT FOR DS28E25

निर्माता: Maxim Integrated
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विवरण: IC EEPROM 4K 1WIRE 6TDFN

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विवरण: IC EEPROM 8K 1WIRE 6TDFN

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विवरण: RADIATION RESISTANT

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विवरण: IC EEPROM 4K 1WIRE 2SFN

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विवरण: IC EEPROM 2K 1WIRE 6TDFN

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विवरण: RADIATION RESISTANT

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विवरण: IC EEPROM 4K 1WIRE 6TDFN

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विवरण: RADIATION RESISTANT

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