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GPA802-BP

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    GPA802-BP
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GPP 8A TO220AC
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.1V @ 8A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    100V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-220AC
  • गति
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • शृंखला
    -
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-220-2 Full Pack
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -65°C ~ 150°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 100V 8A Through Hole TO-220AC
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    5µA @ 100V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    8A
  • समाई @ वीआर, एफ
    50pF @ 4V, 1MHz
GPA804-BP

GPA804-BP

विवरण: DIODE GPP 8A TO220AC

निर्माता: Micro Commercial Components (MCC)
स्टॉक में
GPA804HC0G

GPA804HC0G

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
GPA803HC0G

GPA803HC0G

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
GPA803-BP

GPA803-BP

विवरण: DIODE GPP 8A TO220AC

निर्माता: Micro Commercial Components (MCC)
स्टॉक में
GPA801-BP

GPA801-BP

विवरण: DIODE GPP 8A TO220AC

निर्माता: Micro Commercial Components (MCC)
स्टॉक में
GPA040A120L-ND

GPA040A120L-ND

विवरण: IGBT 1200V 80A 455W TO264

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GPA804 C0G

GPA804 C0G

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
GPA801 C0G

GPA801 C0G

विवरण: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
GPA803DT-TP

GPA803DT-TP

विवरण: DIODE GPP 8A D2PAK

निर्माता: Micro Commercial Components (MCC)
स्टॉक में
GPA802 C0G

GPA802 C0G

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
GPA042A100L-ND

GPA042A100L-ND

विवरण: IGBT 1000V 60A 463W TO264

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GPA060A060MN-FD

GPA060A060MN-FD

विवरण: IGBT 600V 120A 347W TO3PN

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GPA804DT-TP

GPA804DT-TP

विवरण: DIODE GPP 8A D2PAK

निर्माता: Micro Commercial Components (MCC)
स्टॉक में
GPA803 C0G

GPA803 C0G

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
GPA801HC0G

GPA801HC0G

विवरण: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
GPA802DT-TP

GPA802DT-TP

विवरण: DIODE GPP 8A D2PAK

निर्माता: Micro Commercial Components (MCC)
स्टॉक में
GPA802HC0G

GPA802HC0G

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
GPA2000-0.010-02-0816

GPA2000-0.010-02-0816

विवरण: THERM PAD 406.4MMX203.2MM GRAY

निर्माता: Bergquist
स्टॉक में
GPA801DT-TP

GPA801DT-TP

विवरण: DIODE GPP 8A D2PAK

निर्माता: Micro Commercial Components (MCC)
स्टॉक में
GPA040A120MN-FD

GPA040A120MN-FD

विवरण: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में

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