GPA806DT-TP

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विशेष विवरण

भाग संख्या

GPA806DT-TP
निर्माता / ब्रांड

Micro Commercial Components (MCC)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

DIODE GPP 8A D2PAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

GPA806DT-TP.pdf
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं

1.1V @ 8A
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)

800V
प्रदायक डिवाइस पैकेज

D2PAK
गति

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
शृंखला

-
पैकेज / प्रकरण

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-65°C ~ 150°C
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
डायोड प्रकार

Standard
विस्तृत विवरण

Diode Standard 800V 8A Surface Mount D2PAK
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर

5µA @ 800V
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)

8A
समाई @ वीआर, एफ

50pF @ 4V, 1MHz

निम्नलिखित "GPA806DT-TP" संबंधित उत्पाद हैं।

GPAS1004 MNG

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 10A TO263AB

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)

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अग्रिम पंजीकरण

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