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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D
  • निर्माता / ब्रांड
    Micron Technology
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.14 V ~ 1.95 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    134-FBGA (10x11.5)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    134-WFBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TC)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    4Gb (128M x 32)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz 134-FBGA (10x11.5)
  • घड़ी आवृत्ति
    533MHz
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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

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