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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    EDFP112A3PD-GD-F-D
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
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  • विवरण
    IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.14 V ~ 1.95 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - Mobile LPDDR3
  • शृंखला
    -
  • परिचालन तापमान
    -30°C ~ 85°C (TA)
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    24Gb (192M x 128)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 24Gb (192M x 128) Parallel 800MHz
  • घड़ी आवृत्ति
    800MHz
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