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M29F200FT5AN6E2

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    M29F200FT5AN6E2
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 2M PARALLEL 48TSOP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    55ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    4.5 V ~ 5.5 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NOR
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    48-TSOP
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    2Mb (256K x 8, 128K x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NOR Memory IC 2Mb (256K x 8, 128K x 16) Parallel 55ns 48-TSOP
  • आधार भाग संख्या
    M29F200
  • अभिगम समय
    55ns
M29F200FT55M3E2

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M29F400BB55M1

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निर्माता: Micron Technology
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M29F200FB55N3E2

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विवरण: IC FLASH 2M PARALLEL 48TSOP

निर्माता: Micron Technology
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M29F200FT5AM6F2 TR

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विवरण: IC FLASH 2M PARALLEL 44SO

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M29F400BB45N1

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M29F200FB55M3F2 TR

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M29F200FT5AN6F2 TR

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M29F400BB70M6E

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M29F200FB5AN6E2

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M29F200FB55M3E2

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M29F200FT55N3E2

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M29F200FB55N3F2 TR

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M29F200FT55M3F2 TR

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विवरण: IC FLASH 2M PARALLEL 44SO

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M29F400BB70N1

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M29F400BB55N6T TR

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M29F400BB70N3T

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