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M29W160EB80ZA3SE TR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    M29W160EB80ZA3SE TR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 16M PARALLEL 48TFBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    80ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.7 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NOR
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    48-TFBGA (6x8)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    48-TFBGA
  • दुसरे नाम
    M29W160EB80ZA3SE TR-ND
    M29W160EB80ZA3SETR
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    16Mb (2M x 8, 1M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NOR Memory IC 16Mb (2M x 8, 1M x 16) Parallel 80ns 48-TFBGA (6x8)
  • आधार भाग संख्या
    M29W160
  • अभिगम समय
    80ns
M29W160ET70ZA6E

M29W160ET70ZA6E

विवरण: IC FLASH 16M PARALLEL 48TFBGA

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC FLASH 16M PARALLEL 64FBGA

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC FLASH 16M PARALLEL 64FBGA

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC FLASH 16M PARALLEL 48TFBGA

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विवरण: IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP

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विवरण: IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP

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