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M29W200BT70N6E

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    M29W200BT70N6E
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 2M PARALLEL 48TSOP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    70ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.7 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NOR
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    48-TSOP
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    2Mb (256K x 8, 128K x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NOR Memory IC 2Mb (256K x 8, 128K x 16) Parallel 70ns 48-TSOP
  • आधार भाग संख्या
    M29W200
  • अभिगम समय
    70ns
M29W256GH7AN6F TR

M29W256GH7AN6F TR

विवरण: IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

निर्माता: Micron Technology
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M29W160FB70N3E

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विवरण: IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP

निर्माता: Micron Technology
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M29W200BB70N1

M29W200BB70N1

विवरण: IC FLASH 2M PARALLEL 48TSOP

निर्माता: Micron Technology
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M29W200BB70N6E

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विवरण: IC FLASH 2M PARALLEL 48TSOP

निर्माता: Micron Technology
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M29W256GH70N6E

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M29W256GH70ZA6E

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विवरण: IC FLASH 256M PARALLEL 64TBGA

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M29W256GH70ZS3F TR

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विवरण: IC FLASH 256M PARALLEL 64TBGA

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M29W200BB70N6

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M29W200BB90N6

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M29W256GH70ZS6F TR

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विवरण: IC FLASH 256M PARALLEL 64FBGA

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M29W256GH7AN6E

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विवरण: IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

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M29W200BB90N1

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विवरण: IC FLASH 2M PARALLEL 48TSOP

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M29W200BB55N1

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M29W256GH70N3E

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विवरण: IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

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M29W256GH70ZA6F TR

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विवरण: IC FLASH 2M PARALLEL 44SO

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