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M29W800DB70N6E

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    M29W800DB70N6E
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    70ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.7 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NOR
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    48-TSOP
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • दुसरे नाम
    497-5035
    497-5035-ND
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    8Mb (1M x 8, 512K x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NOR Memory IC 8Mb (1M x 8, 512K x 16) Parallel 70ns 48-TSOP
  • आधार भाग संख्या
    M29W800
  • अभिगम समय
    70ns
M29W800DB70N6

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विवरण: IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

निर्माता: Micron Technology
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M29W800DB70ZM6E

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विवरण: IC FLASH 8M PARALLEL 44SO

निर्माता: Micron Technology
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M29W800DB70N1

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विवरण: IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

निर्माता: Micron Technology
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M29W800DB45N6E

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विवरण: IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

निर्माता: Micron Technology
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M29W800DB90N6T

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विवरण: IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

निर्माता: STMicroelectronics
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विवरण: IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

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विवरण: IC FLASH 8M PARALLEL 48TFBGA

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC FLASH 64M PARALLEL 64FBGA

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

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M29W800DB45ZE6E

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विवरण: IC FLASH 8M PARALLEL 48TFBGA

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M29W640GT7AN6E

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M29W800DB90N1

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