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MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT TR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT TR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.95 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • दुसरे नाम
    MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT TR-ND
    MT29C4G48MAYBBAHK-48AITTR
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDRAM)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH, RAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDRAM) Parallel 208MHz
  • घड़ी आवृत्ति
    208MHz
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 IT TR

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विवरण: IC FLASH LPDRAM 137VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

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विवरण: IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

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विवरण: IC FLASH RAM 4G PARAL 168WFBGA

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC FLASH RAM 4G PARAL 107TFBGA

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विवरण: IC FLASH LPDRAM 6G 130MCP

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MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT

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विवरण: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ

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विवरण: IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

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विवरण: IC FLASH LPDRAM 137VFBGA

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विवरण: IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

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विवरण: IC FLASH LPDRAM 137VFBGA

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विवरण: IC FLASH RAM 4G PARAL 168WFBGA

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विवरण: IC FLASH RAM 4G PARAL 107TFBGA

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विवरण: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ

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विवरण: IC FLASH RAM 4G PARAL 168WFBGA

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विवरण: IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

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विवरण: IC FLASH RAM 4G PARAL 168WFBGA

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विवरण: IC FLASH RAM 4G PARAL 153VFBGA

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विवरण: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ

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विवरण: IC FLASH LPDRAM 6G 130MCP

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