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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E TR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 128G PARALLEL 267MHZ
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.7 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NAND
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • दुसरे नाम
    MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E TR-ND
    MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:ETR
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    128Gb (16G x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस
    Lead free
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NAND Memory IC 128Gb (16G x 8) Parallel 267MHz
  • घड़ी आवृत्ति
    267MHz
MT29F128G08CBCCBH6-6ITR:C

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विवरण: IC FLASH 128G PARALLEL 166MHZ

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC FLASH 128G PARALLEL 267MHZ

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC FLASH 128G PARALLEL 267MHZ

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: MLC 128G DIE 16GX8

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC FLASH 128G PARALLEL 166MHZ

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC FLASH 128G PARALLEL 267MHZ

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विवरण: IC FLASH 128G PARALLEL 267MHZ

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विवरण: IC FLASH 128G PARALLEL 166MHZ

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विवरण: IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC FLASH 128G PARALLEL WAFER

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विवरण: IC FLASH 128G PARALLEL 267MHZ

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विवरण: IC FLASH 128G PARALLEL WAFER

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विवरण: IC FLASH 128G PARALLEL 166MHZ

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विवरण: MLC 128G DIE 16GX8

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विवरण: IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ

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विवरण: IC FLASH 128G PARALLEL 267MHZ

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विवरण: IC FLASH 128G PARALLEL 166MHZ

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