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MT29F1G16ABBEAHC:E TR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT29F1G16ABBEAHC:E TR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.95 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NAND
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    63-VFBGA (10.5x13)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    63-VFBGA
  • दुसरे नाम
    MT29F1G16ABBEAHC:E TR-ND
    MT29F1G16ABBEAHC:ETR
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 70°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    1Gb (64M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NAND Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 63-VFBGA (10.5x13)
  • आधार भाग संख्या
    MT29F1G16
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E TR

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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 130VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT29F1G16ABBEAH4-IT:E TR

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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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MT29F1HT08ELCBBG1-37ES:B TR

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विवरण: IC FLASH 1.5T PARALLEL 267MHZ

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MT29F1G16ABCHC-ET:C TR

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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT29F1G16ABBEAM68M3WC2

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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL

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MT29F1G16ABCHC:C TR

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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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MT29F1G16ABCHC-ET:C

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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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MT29F1G16ABBEAHC-IT:E

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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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MT29F1G16ABCHC:C

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विवरण: IC FLASH 1.5T PARALLEL 267MHZ

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विवरण: TLC 1.5T 192GX8 FBGA QDP

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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 130VFBGA

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