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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT29F4G01ABBFDWB-ITES:F
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
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  • विवरण
    IC FLASH 4G SPI UPDFN
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.95 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NAND
  • शृंखला
    -
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    4Gb (4G x 1)
  • मेमोरी इंटरफेस
    SPI
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (4G x 1) SPI
MT29F4G08AAAWP:A TR

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

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विवरण: IC FLASH 4G SPI SOIC

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विवरण: IC FLASH 4G SPI TBGA

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विवरण: IC FLASH 4G SPI UPDFN

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विवरण: IC FLASH 4G SPI UPDFN

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विवरण: IC FLASH 4G SPI TBGA

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विवरण: IC FLASH 4G SPI UPDFN

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विवरण: IC FLASH 4G SPI UPDFN

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

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विवरण: IC FLASH 4G SPI SOIC

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

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विवरण: IC FLASH 4G SPI UPDFN

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विवरण: IC FLASH 4G SPI TBGA

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विवरण: IC FLASH 4G SPI 8UPDFN

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