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MT29F4G08ABADAWP-AT:D TR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT29F4G08ABADAWP-AT:D TR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
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  • विवरण
    IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.7 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NAND
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • दुसरे नाम
    MT29F4G08ABADAWP-AT:D TR-ND
    MT29F4G08ABADAWP-AT:DTR
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 70°C (TA)
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    4Gb (512M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel
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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL WAFER

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

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