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MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.95 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NAND
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    63-VFBGA
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    63-VFBGA
  • दुसरे नाम
    557-1459-2
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    4Gb (512M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 63-VFBGA
  • आधार भाग संख्या
    MT29F4G08
MT29F4G08ABBDAH4:D TR

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT29F4G08ABBEAH4:E

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT29F4G08ABBDAH4-ITE:D

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: SLC 4G DIE 512MX8

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

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MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

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MT29F4G08ABBEAM70M3WC1

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL WAFER

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विवरण: SLC 4G DIE 512MX8

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