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MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR

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    MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR
  • निर्माता / ब्रांड
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  • विवरण
    IC FLASH 4G PARALLEL FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.7 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NAND
  • शृंखला
    Automotive, AEC-Q100
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • दुसरे नाम
    MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR-ND
    MT29F4G16ABAFAH4-AATES:FTR
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 105°C (TC)
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    4Gb (256M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel
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