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MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 4G PARALLEL FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.95 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NAND
  • शृंखला
    Automotive, AEC-Q100
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 105°C (TC)
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    4Gb (256M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel
MT29F4G16ABBEAH4:E

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT29F4G16ABBDAHC:D

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT29F4T08CTHBBM5-3C:B

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विवरण: IC FLASH

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MT29F4T08CTHBBM5-3C:BTR

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विवरण: IC FLASH

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR

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विवरण: IC FLASH 4T PARALLEL 267MHZ

निर्माता: Micron Technology
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MT29F4G16ABBFAM70A3WC1

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विवरण: SLC 4G DIE 256MX16

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

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MT29F4G16ABBDAM60A3WC1

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL

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MT29F4G16ABBDAHC-IT:D

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

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MT29F4G16ABBEAH4-IT:E

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

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MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F TR

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT29F4G16ABCWC:C TR

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

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MT29F4G16BABWP TR

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

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