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MT40A512M8HX-083E:A

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT40A512M8HX-083E:A
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.14 V ~ 1.26 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - DDR4
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    78-FBGA (9x11.5)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    78-TFBGA
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 95°C (TC)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    4Gb (512M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 1.2GHz 78-FBGA (9x11.5)
  • घड़ी आवृत्ति
    1.2GHz
MT40A512M16LY-062E:E

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विवरण: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: DDR4 8G DIE 512MX16

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विवरण: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 1.6GHZ

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विवरण: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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विवरण: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

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विवरण: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

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MT40A512M8RH-075E AIT:B

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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विवरण: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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