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MT41K256M16TW-107 XIT:P

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT41K256M16TW-107 XIT:P
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.283 V ~ 1.45 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - DDR3L
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    96-FBGA (8x14)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    96-TFBGA
  • दुसरे नाम
    557-1757
    MT41K256M16TW-107 XIT:P-ND
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    4Gb (256M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 933MHz 20ns 96-FBGA (8x14)
  • घड़ी आवृत्ति
    933MHz
  • अभिगम समय
    20ns
MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT41K256M4DA-107:J

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विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT41K256M16TW-107 AT:P

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विवरण: MEMORY DRAM

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

निर्माता: Micron Technology
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MT41K256M16TW-107 AUT:P

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

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MT41K256M4DA-107:J TR

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विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

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MT41K256M16TW-107 AAT:P TR

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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MT41K256M16V00HWC1-N001

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विवरण: DDR3 4G DIE 256MX16

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MT41K256M16V80AWC1

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

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MT41K256M16TW-125:P

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ

निर्माता: Micron Technology
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MT41K256M16TW-107 AUT:P TR

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

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MT41K256M16V00HWC1

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विवरण: IC FLASH NAND 32GX8 TSOP

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MT41K256M16TW-107:P

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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MT41K256M16V90BWC1

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

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विवरण: MEMORY DRAM

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

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