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MT41K512M4DA-125:M

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT41K512M4DA-125:M
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.283 V ~ 1.45 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - DDR3L
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    78-FBGA (8x10.5)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    78-TFBGA
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 95°C (TC)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    2Gb (512M x 4)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - DDR3L Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 800MHz 13.75ns 78-FBGA (8x10.5)
  • घड़ी आवृत्ति
    800MHz
  • आधार भाग संख्या
    MT41K512M4
  • अभिगम समय
    13.75ns
MT41K512M16TNA-125 M:E TR

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विवरण: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT41K512M16TNA-125 IT:E

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विवरण: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT41K512M4HX-187E:D

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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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MT41K512M8DA-107 AAT:P

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विवरण: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

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MT41K512M4HX-15E:D

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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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विवरण: DDR3 8G DIE 512MX16

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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MT41K512M8DA-093 IT:P

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 1067MHZ

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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MT41K512M4DA-125:K TR

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MT41K512M4DA-125:K

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