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MT41K512M8RH-107:E TR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT41K512M8RH-107:E TR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.283 V ~ 1.45 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - DDR3L
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    78-FBGA (9x10.5)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    78-TFBGA
  • दुसरे नाम
    MT41K512M8RH-107:E TR-ND
    MT41K512M8RH-107:ETR
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 95°C (TC)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    4Gb (512M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 933MHz 20ns 78-FBGA (9x10.5)
  • घड़ी आवृत्ति
    933MHz
  • आधार भाग संख्या
    MT41K512M8
  • अभिगम समय
    20ns
MT41K512M8RH-125 M:E

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT41K512M8RG-107:N

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ

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