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MT46H16M16LFBF-5:H TR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT46H16M16LFBF-5:H TR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    15ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.95 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    60-VFBGA (8x9)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    60-VFBGA
  • दुसरे नाम
    MT46H16M16LFBF-5:H TR-ND
    MT46H16M16LFBF-5:HTR
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 70°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    256Mb (16M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 200MHz 5.0ns 60-VFBGA (8x9)
  • घड़ी आवृत्ति
    200MHz
  • आधार भाग संख्या
    MT46H16M16
  • अभिगम समय
    5.0ns
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT46H16M16LFBF-5:H

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT46H16M16LFBF-75:A

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

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MT46H16M16LFBF-6 AT:H TR

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