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MT47H128M8JN-25E:H

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT47H128M8JN-25E:H
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    15ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.9 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - DDR2
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    60-FBGA (8x10)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    60-TFBGA
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 85°C (TC)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    1Gb (128M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
  • घड़ी आवृत्ति
    400MHz
  • आधार भाग संख्या
    MT47H128M8
  • अभिगम समय
    400ps
MT47H128M8HQ-3 IT:G

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विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

निर्माता: Micron Technology
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निर्माता: Micron Technology
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MT47H128M8SH-187E:M

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निर्माता: Micron Technology
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MT47H128M8CF-3:H

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निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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MT47H128M8SH-25E AAT:M

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MT47H128M8HQ-3:E TR

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MT47H128M8SH-25E AIT:M

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