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MT49H16M18CFM-25:B

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT49H16M18CFM-25:B
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.9 V
  • प्रौद्योगिकी
    DRAM
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    144-µBGA (18.5x11)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    144-TFBGA
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 95°C (TC)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    288Mb (16M x 18)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • विस्तृत विवरण
    DRAM Memory IC 288Mb (16M x 18) Parallel 400MHz 20ns 144-µBGA (18.5x11)
  • घड़ी आवृत्ति
    400MHz
  • अभिगम समय
    20ns
MT49H16M18CSJ-25:B TR

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विवरण: IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR

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MT49H16M18CBM-25:B

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विवरण: IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

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MT49H16M18CTR-25:B

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विवरण: IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ

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MT49H16M18BM-33 TR

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MT49H16M18BM-33

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MT49H16M18CFM-5 IT

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MT49H16M18CFM-33:B TR

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