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निम्नलिखित "APT100GT60JR " संबंधित उत्पाद हैं।
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निर्माता: Microsemi
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विवरण: IGBT 600V 183A 780W TO247
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विवरण: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227
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विवरण: IGBT 1200V 140A 480W SOT227
निर्माता: Microsemi
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विवरण: IGBT 600V 229A 625W TMAX
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विवरण: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247
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विवरण: IGBT 600V 229A 625W TO264
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विवरण: IGBT 1200V 153A 446W SOT227
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विवरण: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247
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विवरण: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP
निर्माता: Microsemi
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विवरण: IGBT 1200V 123A 570W SOT227
निर्माता: Microsemi
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विवरण: IGBT 1200V 153A 446W SOT227
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विवरण: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP
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विवरण: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264
निर्माता: Microsemi
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विवरण: IGBT 1200V 140A 480W SOT227
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विवरण: IGBT 1200V 123A 570W SOT227
निर्माता: Microsemi
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विवरण: IGBT 600V 148A 500W SOT247
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