APT10M07JVR

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विशेष विवरण

भाग संख्या

APT10M07JVR
निर्माता / ब्रांड

Microsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

APT10M07JVR.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 5mA
वीजीएस (मैक्स)

±30V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

ISOTOP®
शृंखला

POWER MOS V®
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

700W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

SOT-227-4, miniBLOC
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Chassis Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

21600pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

1050nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

100V
विस्तृत विवरण

N-Channel 100V 225A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

225A (Tc)

निम्नलिखित "APT10M07JVR" संबंधित उत्पाद हैं।

APT102GA60B2

विवरण: IGBT 600V 183A 780W TO247

निर्माता: Microsemi

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