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APT30GP60BG

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    APT30GP60BG
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IGBT 600V 100A 463W TO247
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    600V
  • Vce (पर) (मैक्स) @ Vge, आईसी
    2.7V @ 15V, 30A
  • परीक्षण स्थिति
    400V, 30A, 5 Ohm, 15V
  • टीडी (चालू / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस
    13ns/55ns
  • स्विचिंग ऊर्जा
    260µJ (on), 250µJ (off)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-247 [B]
  • शृंखला
    POWER MOS 7®
  • पावर - मैक्स
    463W
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-247-3
  • दुसरे नाम
    APT30GP60BGMP
    APT30GP60BGMP-ND
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट प्रकार
    Standard
  • आईजीबीटी प्रकार
    PT
  • गेट प्रभारी
    90nC
  • विस्तृत विवरण
    IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B]
  • वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)
    100A
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    100A
APT30GS60KRG

APT30GS60KRG

विवरण: IGBT 600V 54A 250W TO220

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

विवरण: IGBT 600V 100A 463W TO247

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT30GT60KRG

APT30GT60KRG

विवरण: IGBT 600V 64A 250W TO220

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT30GF60JU2

APT30GF60JU2

विवरण: IGBT 600V 58A 192W SOT227

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT30F50B

APT30F50B

विवरण: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT30F60J

APT30F60J

विवरण: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT30M19JVR

APT30M19JVR

विवरण: MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT30GN60BDQ2G

APT30GN60BDQ2G

विवरण: IGBT 600V 63A 203W TO247

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT30GT60BRDQ2G

APT30GT60BRDQ2G

विवरण: IGBT 600V 64A 250W TO247

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT30GF60JU3

APT30GF60JU3

विवरण: IGBT 600V 58A 192W SOT227

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT30GP60B2DLG

APT30GP60B2DLG

विवरण: IGBT 600V 100A 463W TMAX

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT30DS60BG

APT30DS60BG

विवरण: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT30GS60BRDQ2G

APT30GS60BRDQ2G

विवरण: IGBT 600V 54A 250W SOT227

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT30GP60LDLG

APT30GP60LDLG

विवरण: IGBT 600V 100A 463W TO264

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT30GT60BRG

APT30GT60BRG

विवरण: IGBT 600V 64A 250W TO247

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT30GS60BRDLG

APT30GS60BRDLG

विवरण: IGBT 600V 54A 250W TO247

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT30M19JVFR

APT30M19JVFR

विवरण: MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT30GN60BG

APT30GN60BG

विवरण: IGBT 600V 63A 203W TO247

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT30F50S

APT30F50S

विवरण: MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT30GP60JDQ1

APT30GP60JDQ1

विवरण: IGBT 600V 67A 245W SOT227

निर्माता: Microsemi
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