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APT35GA90BD15

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    APT35GA90BD15
  • निर्माता / ब्रांड
    Microsemi
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IGBT 900V 63A 290W TO247
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    1.APT35GA90BD15.pdf
    2.APT35GA90BD15.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    900V
  • Vce (पर) (मैक्स) @ Vge, आईसी
    3.1V @ 15V, 18A
  • परीक्षण स्थिति
    600V, 18A, 10 Ohm, 15V
  • टीडी (चालू / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस
    12ns/104ns
  • स्विचिंग ऊर्जा
    642µJ (on), 382µJ (off)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-247 [B]
  • शृंखला
    -
  • पावर - मैक्स
    290W
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-247-3
  • दुसरे नाम
    APT35GA90BD15MI
    APT35GA90BD15MI-ND
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    28 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट प्रकार
    Standard
  • आईजीबीटी प्रकार
    PT
  • गेट प्रभारी
    84nC
  • विस्तृत विवरण
    IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B]
  • वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)
    105A
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    63A
  • सम्बंधित खबर
  • शिपिंग
  • भुगतान

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शिपिंग
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निम्नलिखित "APT35GA90BD15" संबंधित उत्पाद हैं।
APT34M120J

APT34M120J

विवरण: MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
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APT34F100B2

APT34F100B2

विवरण: MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT35SM70B

APT35SM70B

विवरण: MOSFET N-CH 700V TO247

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

विवरण: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

विवरण: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

विवरण: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

विवरण: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT35SM70S

APT35SM70S

विवरण: MOSFET N-CH 700V D3PAK

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT35GP120J

APT35GP120J

विवरण: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

निर्माता: Microsemi
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RFQ
APT34M60B

APT34M60B

विवरण: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT35GA90B

APT35GA90B

विवरण: IGBT 900V 63A 290W TO-247

निर्माता: Microsemi
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RFQ
APT34F60BG

APT34F60BG

विवरण: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

निर्माता: Microsemi
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RFQ
APT34F60B

APT34F60B

विवरण: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

निर्माता: Microsemi
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APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

विवरण: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

निर्माता: Microsemi
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RFQ
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

विवरण: IGBT 1200V 94A 379W TO264

निर्माता: Microsemi
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RFQ
APT35GN120BG

APT35GN120BG

विवरण: IGBT 1200V 94A 379W TO247

निर्माता: Microsemi
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APT35GP120BG

APT35GP120BG

विवरण: IGBT 1200V 96A 543W TO247

निर्माता: Microsemi
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APT35GP120JDQ2

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विवरण: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

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APT35DL120HJ

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विवरण: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

निर्माता: Microsemi
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APT34F100L

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विवरण: MOSFET N-CH 1000V 35A TO264

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