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APT66F60B2

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    APT66F60B2
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 600V 70A TO-247
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    5V @ 2.5mA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±30V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    T-MAX™ [B2]
  • शृंखला
    POWER MOS 8™
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    90 mOhm @ 33A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    1135W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-247-3 Variant
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    13190pF @ 25V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    330nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    600V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    70A (Tc)
APT60S20B2CTG

APT60S20B2CTG

विवरण: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

विवरण: IGBT 900V 117A 500W TO-264

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT68GA60B

APT68GA60B

विवरण: IGBT 600V 121A 520W TO-247

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

विवरण: IGBT 600V 121A 520W TO-247

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT70GR120B2

APT70GR120B2

विवरण: IGBT 1200V 160A 961W TO247

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT66M60B2

APT66M60B2

विवरण: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT64GA90B2D30

APT64GA90B2D30

विवरण: IGBT 900V 117A 500W TO-247

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT65GP60J

APT65GP60J

विवरण: IGBT 600V 130A 431W SOT227

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT6M100K

APT6M100K

विवरण: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT70GR120J

APT70GR120J

विवरण: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

विवरण: IGBT 600V 198A 833W TO264

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

विवरण: IGBT 600V 121A 520W TO-264

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

विवरण: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT66F60L

APT66F60L

विवरण: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT60S20BG

APT60S20BG

विवरण: DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

विवरण: IGBT 600V 100A 833W TMAX

निर्माता: Microsemi
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APT60S20SG

APT60S20SG

विवरण: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

निर्माता: Microsemi Corporation
स्टॉक में
APT66M60L

APT66M60L

विवरण: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
APT60S20SG/TR

APT60S20SG/TR

विवरण: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

निर्माता: Microsemi Corporation
स्टॉक में
APT64GA90B

APT64GA90B

विवरण: IGBT 900V 117A 500W TO247

निर्माता: Microsemi
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