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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    JAN1N5616US
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 400V 1A D5A
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.3V @ 3A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    400V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    D-5A
  • गति
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • शृंखला
    Military, MIL-PRF-19500/427
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    2µs
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    SQ-MELF, A
  • दुसरे नाम
    1086-2105
    1086-2105-MIL
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -65°C ~ 200°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    8 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount D-5A
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    500nA @ 400V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    1A
  • समाई @ वीआर, एफ
    -
JAN1N5616

JAN1N5616

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5610

JAN1N5610

विवरण: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5621US

JAN1N5621US

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5612

JAN1N5612

विवरण: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5611

JAN1N5611

विवरण: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5619

JAN1N5619

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5617US

JAN1N5617US

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5621

JAN1N5621

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

निर्माता: Microsemi Corporation
स्टॉक में
JAN1N5558

JAN1N5558

विवरण: TVS DIODE 175V 265V DO13

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5614

JAN1N5614

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5619US

JAN1N5619US

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5617

JAN1N5617

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5614US

JAN1N5614US

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5620US

JAN1N5620US

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5615

JAN1N5615

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

निर्माता: Microsemi Corporation
स्टॉक में
JAN1N5615US

JAN1N5615US

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5620

JAN1N5620

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

निर्माता: Microsemi Corporation
स्टॉक में
JAN1N5618US

JAN1N5618US

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5556

JAN1N5556

विवरण: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5618

JAN1N5618

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

निर्माता: Microsemi Corporation
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