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JAN1N5623US

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    JAN1N5623US
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.6V @ 3A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    1000V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    D-5A
  • गति
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • शृंखला
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    500ns
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    SQ-MELF, A
  • दुसरे नाम
    1086-19426
    1086-19426-MIL
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -65°C ~ 175°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    8 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 1000V 1A Surface Mount D-5A
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    500nA @ 1000V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    1A
  • समाई @ वीआर, एफ
    15pF @ 12V, 1MHz
JAN1N5629A

JAN1N5629A

विवरण: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5642A

JAN1N5642A

विवरण: TVS DIODE 20.5V 33.2V DO13

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5619US

JAN1N5619US

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5621

JAN1N5621

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

निर्माता: Microsemi Corporation
स्टॉक में
JAN1N5640A

JAN1N5640A

विवरण: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO13

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5620US

JAN1N5620US

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5644A

JAN1N5644A

विवरण: TVS DIODE 25.6V 41.4V DO13

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5623

JAN1N5623

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5620

JAN1N5620

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

निर्माता: Microsemi Corporation
स्टॉक में
JAN1N5618US

JAN1N5618US

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5637A

JAN1N5637A

विवरण: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5619

JAN1N5619

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5622US

JAN1N5622US

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5632A

JAN1N5632A

विवरण: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5621US

JAN1N5621US

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5639A

JAN1N5639A

विवरण: TVS DIODE 15.3V 25.2V DO13

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5645A

JAN1N5645A

विवरण: TVS DIODE 28.2V 45.7V DO202AA

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5646A

JAN1N5646A

विवरण: TVS DIODE 30.8V 49.9V DO13

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5635A

JAN1N5635A

विवरण: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5622

JAN1N5622

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

निर्माता: Microsemi
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